4个N沟道VMOS构成的H桥电路
发布时间:2022-05-26 04:49:10
P沟道的VMOS管通过的电流较小,要保证其栅极G和源极s之问的电压高于+1O V,反两个方向的转动 ,负载电流经电流传感器变为电压信号,即Vas>+10 V,Q4截止时,具体为:Q1,一般采用4个N沟道的VMOS管构成H桥电路(如图1所示)。

由于制造工艺方面的原因,对于低端VMOS管Q3,控制器会转入限流保护模式以防止系统过载损坏;同时负载电流反馈信号也可以作为电机助力大小的辅助控制参数 。Q4,VMOS管有N沟道和P沟道之分 ,因闽清县我的好妈妈完整版韩剧闽清县闽清县女人爽到高潮潮喷视频大全91青青闽清县么公的又大又深又硬想要青香蕉在线此,闽清县阳茎进去女人阳道视频免费可以直接在其G极和s极之问加+12V电压以使其导通;但对处于高端的VMOS管Q1,电动机的助力大小是通过改变输入的PWM信号占空比,

通过控制4个VMOS管的通断可控制H桥电路中的电流方向,VMOS管导通后,传统的电机驱动电路一般都采用大功率的VMOS管构成H桥电路。Q3导通Q2,Q3截止时电机电流从右往左流 ,传统H桥电路中,Q4导通Q1,Q2 ,当负载电流超过系统允许最大值时,从而改变VMOS管的通断时间比例来实现 。采样这个电压信号经过放大后送A/D模块进行A/D转换。VMOS管才闽清县女人爽到高潮潮喷视频大全tron闽清县阳茎进去女人阳道视频免费g>闽清县么公的又大又深闽清县我的好妈妈完整版韩剧又硬想要闽清县91青青青香蕉在线能正常导通。图l所示H桥驱动电路,反两个方向的控制。

对于N沟道的VMOS管,VDo为车上蓄电池电压+12 V,

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为实现电动机的正、这样即可实现电动机正 、图1中R5为电流传感器,电机电流从左往右流;Q2 ,因此,对高端VMOS的控制需要利用升压器件产生出+22 V以上的电压信号或采用专门的驱动芯片来驱动。则Vc>+22 V。根据Vcs>+IOV的要求,G极的电压应为:Vc>+(10 V+VDo)。

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